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文献
J-GLOBAL ID：201702233865005618
整理番号：17A1629222
熱蒸発によるSi(100)上に堆積したBaSi_2膜の優先a軸配向の起源に関する研究【Powered by NICT】
Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation
Hara Kosuke O.
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Yamamoto Chiaya
(Center for Creative Technology, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan)
,
Yamanaka Junji
(Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan)
,
Arimoto Keisuke
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Nakagawa Kiyokazu
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Usami Noritaka
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 72 ページ： 93-98 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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