文献
J-GLOBAL ID:201702233875528446
整理番号:17A1645798
SiGeチャネルnMOSFETの電気パラメータの最適化【Powered by NICT】
Optimization of electrical parameters in SiGe channel nMOSFET
著者 (3件):
Vanlalawmpuia K.
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India)
,
Bhowmick Brinda
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India)
,
Choudhury Madhuchhanda
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DevIC
ページ:
231-235
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)