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文献
J-GLOBAL ID：201702233883208473
整理番号：17A0717780
高温高湿下におけるSiC MOSFETの放射線応答の改善
Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity conditions
TAKEYAMA Akinori
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
,
MATSUDA Takuma
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
,
MATSUDA Takuma
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
YOKOSEKI Takashi
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
,
YOKOSEKI Takashi
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
MITOMO Satoshi
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
,
MITOMO Satoshi
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
MURATA Koichi
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
,
MURATA Koichi
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
MAKINO Takahiro
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
,
ONODA Shinobu
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
,
OKUBO Shuichi
(Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
TANAKA Yuki
(Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
KANDORI Mikio
(Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
YOSHIE Toru
(Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
,
HIJIKATA Yasuto
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
OHSHIMA Takeshi
(National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 10 ページ： 104101.1-104101.4 発行年： 2016年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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