文献
J-GLOBAL ID:201702233901651752
整理番号:17A0047728
二重周波数C-VとI-V測定を組み合わせた5要素モデルによる新しいMOS容量補正法
A New MOS Capacitance Correction Method Based on Five-Element Model by Combining Double-Frequency ${C}-{V}$ and $I$ - $V$ Measurements
著者 (6件):
Zhang Xizhen
(Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, China)
,
Cheng Chuanhui
(Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Zhu Huichao
(Dalian University of Technology, Dalian, China)
,
Yu Tao
(Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, China)
,
Zhang Daming
(Jilin University, Changchun, China)
,
Chen Baojiu
(Department of Physics, Dalian Maritime University, Dalian, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
10
ページ:
1328-1331
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)