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文献
J-GLOBAL ID：201702233947983497
整理番号：17A1013092
B添加Si0.70Ge0.30における,低フルエンス水素注入で導入される亀裂の研究
Investigation of low-fluence hydrogen implantation-induced cracking in B doped Si0.70Ge0.30
Chen Da
(Department of Microelectronic Science and Engineering, Faculty of Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China)
,
Guo Qinglei
(Department of Materials Science, Fudan University, Shanghai 200433, China)
,
Zhang Nan
(Department of Microelectronic Science and Engineering, Faculty of Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China)
,
Wang Bei
(Department of Microelectronic Science and Engineering, Faculty of Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China)
,
Xu Anli
(Department of Microelectronic Science and Engineering, Faculty of Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China)
,
Li Ya
(Department of Microelectronic Science and Engineering, Faculty of Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China)
,
Yang Siwei
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai 200500, China)
,
Wang Gang
(Department of Microelectronic Science and Engineering, Faculty of Science, Ningbo University, Ningbo 315211, China)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 4 ページ： 041203-041203-5 発行年： 2017年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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