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文献
J-GLOBAL ID：201702234054721860
整理番号：17A0468187
Ni0.75Mn2.25O4/LaMnO3二層構造による単相膜サーミスタの電気特性改善
Improvement of electrical properties of single-phase film thermistors by a Ni0.75Mn2.25O4/LaMnO3 bilayer structure
KONG Wenwen
(Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN)
,
SHI Qin
(Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN)
,
SHI Qin
(Shihezi Univ., Shihezi, CHN)
,
GAO Bo
(Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN)
,
CHANG Aimin
(Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 4 ページ： 3837-3842 発行年： 2017年02月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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