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文献
J-GLOBAL ID：201702234219169815
整理番号：17A0214183
NSP:積層平面および垂直ゲートオールアラウンドMOSFETの物理的コンパクトモデル【Powered by NICT】
NSP: Physical compact model for stacked-planar and vertical Gate-All-Around MOSFETs
Rozeau O.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Martinie S.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Poiroux T.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Triozon F.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Barraud S.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Lacord J.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Niquet Y. M.
(CEA-INAC, Grenoble, France)
,
Tabone C.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Coquand R.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Augendre E.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Vinet M.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Faynot O.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Barbe J.-Ch.
(CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 7.5.1-7.5.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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