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文献
J-GLOBAL ID：201702234299101513
整理番号：17A0475065
高すず濃縮ゲルマニウム-すず合金のイオンビーム合成と熱安定性【Powered by NICT】
Ion-beam synthesis and thermal stability of highly tin-concentrated germanium - tin alloys
Tran Tuan T.
(Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, Australian National University, Canberra, ACT 0200, Australia)
,
Gandhi Hemi H.
(Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, MA 02138, USA)
,
Pastor David
(Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, MA 02138, USA)
,
Aziz Michael J.
(Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, MA 02138, USA)
,
Williams J.S.
(Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, Australian National University, Canberra, ACT 0200, Australia)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62 ページ： 192-195 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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