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文献
J-GLOBAL ID：201702234474014428
整理番号：17A1273902
電気-熱解析を用いたSiとSiCパワーMOSFETのホットスポット温度の比較【Powered by NICT】
Comparison of hot spot temperature between Si and SiC power MOSFET using electro-thermal analysis
Kibushi Risako
(Department of Mechanical Engineering, Tokyo University of Science, Yamaguchi, Daigaku-dori 1-1-1, Sanyo-onoda, Yamaguchi, Japan 756-0884)
,
Hatakeyama Tomoyuki
(Department of Mechanical System Engineering, Toyama Prefectural University, Kurokawa 5180, Imizu, Toyama, Japan 939-0398)
,
Yuki Kazuhisa
(Department of Mechanical Engineering, Tokyo University of Science, Yamaguchi, Daigaku-dori 1-1-1, Sanyo-onoda, Yamaguchi, Japan 756-0884)
,
Unno Noriyuki
(Department of Mechanical Engineering, Tokyo University of Science, Yamaguchi, Daigaku-dori 1-1-1, Sanyo-onoda, Yamaguchi, Japan 756-0884)
,
Ishizuka Masaru
(Department of Mechanical System Engineering, Toyama Prefectural University, Kurokawa 5180, Imizu, Toyama, Japan 939-0398)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ITherm ページ： 921-925 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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