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文献
J-GLOBAL ID：201702234486896963
整理番号：17A1238009
GaCl_3を用いた三ハロゲン化物気相エピタクシーによって成長させたGaNのための準平衡結晶形状と運動学的Wulffプロット【Powered by NICT】
Quasiequilibrium crystal shape and kinetic Wulff plot for GaN grown by trihalide vapor phase epitaxy using GaCl3
Iso Kenji
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan)
,
Matsuda Karen
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan)
,
Takekawa Nao
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan)
,
Murakami Hisashi
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan)
,
Koukitu Akinori
(Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254 号： 8 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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