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文献
J-GLOBAL ID：201702234531842022
整理番号：17A0605276
ナノ構造熱電素子のための直接貼り合わせによる高品質な,薄いGe-オン-絶縁体層の作製
Fabrication of high quality, thin Ge-on-insulator layers by direct wafer-bonding for nanostructured thermoelectric devices
VEERAPPAN Manimuthu
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
MUKANNAN Arivanandhan
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
MUKANNAN Arivanandhan
(Anna Univ., Chennai, IND)
,
SALLEH Faiz
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SHIMURA Yosuke
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
HAYAKAWA Yasuhiro
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
IKEDA Hiroya
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 32 号： 3 ページ： 035021,1-10 発行年： 2017年03月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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