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文献
J-GLOBAL ID：201702234567604392
整理番号：17A1181673
MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズの電気的特性評価のための系統的方法【Powered by NICT】
Systematic method for electrical characterization of random telegraph noise in MOSFETs
Marquez Carlos
(Department of Electronics, CITIC-University of Granada, 18071 Granada, Spain)
,
Rodriguez Noel
(Department of Electronics, CITIC-University of Granada, 18071 Granada, Spain)
,
Gamiz Francisco
(Department of Electronics, CITIC-University of Granada, 18071 Granada, Spain)
,
Ohata Akiko
(Collaboration Center for Research and Development, Utsunomiya University, Japan)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 128 ページ： 115-120 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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