文献
J-GLOBAL ID:201702234601828049
整理番号:17A0132966
無ドーパント酸化ハフニウムの強誘電性増強
Enhancing ferroelectricity in dopant-free hafnium oxide
著者 (6件):
Pal Ashish
(Intermolecular, Inc., 3011 North First Street, San Jose, California 95134, USA)
,
Narasimhan Vijay Kris
(Intermolecular, Inc., 3011 North First Street, San Jose, California 95134, USA)
,
Weeks Stephen
(Intermolecular, Inc., 3011 North First Street, San Jose, California 95134, USA)
,
Littau Karl
(Intermolecular, Inc., 3011 North First Street, San Jose, California 95134, USA)
,
Pramanik Dipankar
(Intermolecular, Inc., 3011 North First Street, San Jose, California 95134, USA)
,
Chiang Tony
(Intermolecular, Inc., 3011 North First Street, San Jose, California 95134, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
2
ページ:
022903-022903-4
発行年:
2017年01月09日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)