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文献
J-GLOBAL ID：201702234808117023
整理番号：17A1185456
ZnOとZnO_1x系薄膜メムリスタ:抵抗スイッチング挙動における酸素欠乏と厚さの影響【Powered by NICT】
ZnO and ZnO1-x based thin film memristors: The effects of oxygen deficiency and thickness in resistive switching behavior
Gul Fatih
(Department of Electrical & Electronics Engineering, Ataturk University, Erzurum 25240, Turkey)
,
Efeoglu Hasan
(Department of Electrical & Electronics Engineering, Ataturk University, Erzurum 25240, Turkey)
,
Efeoglu Hasan
(Nano-science and Nanoengineering Research and Application Center, Ataturk University, Erzurum 25240, Turkey)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 43 号： 14 ページ： 10770-10775 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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