文献
J-GLOBAL ID:201702234938923817
整理番号:17A0026061
ON条件下で動作するInAlN/GaN HEMTの電気的劣化
Electrical Degradation of InAlN/GaN HEMTs Operating Under ON Conditions
著者 (2件):
Wu Yufei
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
del Alamo Jesus A.
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
63
号:
9
ページ:
3487-3492
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)