文献
J-GLOBAL ID:201702235006095743
整理番号:17A0605259
プラズマアシスト分子ビームエピタクシーにより成長した組成の異なるβ-(AlxGa1-x)2O3に対するNiのSchottky障壁高さ
Schottky barrier height of Ni to β-(AlxGa1-x)2O3 with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
著者 (4件):
AHMADI Elaheh
(Univ. California, CA, USA)
,
OSHIMA Yuichi
(Univ. California, CA, USA)
,
WU Feng
(Univ. California, CA, USA)
,
SPECK James S
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
3
ページ:
035004,1-5
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)