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文献
J-GLOBAL ID：201702235013350186
整理番号：17A1343426
InGaN/GaN層を持つ移動GaN系薄膜の作製と改良された光電気化学特性【Powered by NICT】
Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers
Cao Dezhong
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China. hdxiao@sdu.edu.cn)
,
Xiao Hongdi
,
Gao Qingxue
,
Yang Xiaokun
,
Luan Caina
,
Mao Hongzhi
,
Liu Jianqiang
,
Liu Xiangdong
資料名：
Nanoscale
(Nanoscale)
巻： 9 号： 32 ページ： 11504-11510 発行年： 2017年
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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