文献
J-GLOBAL ID:201702235026759631
整理番号:17A0826723
ブースティングトンネルFET性能のための負性静電容量【Powered by NICT】
Negative Capacitance for Boosting Tunnel FET performance
著者 (4件):
Kobayashi Masaharu
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Jang Kyungmin
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Ueyama Nozomu
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Hiramoto Toshiro
(Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻:
16
号:
2
ページ:
253-258
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1355A
ISSN:
1536-125X
CODEN:
ITNECU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)