文献
J-GLOBAL ID:201702235079038838
整理番号:17A0214334
ナノスケール技術ノードにおけるB TIによるデバイス/回路レベル変動の予測としての成長発生(A G)モデル【Powered by NICT】
Predictive As-grown-Generation (A-G) model for BTI-induced device/circuit level variations in nanoscale technology nodes
著者 (13件):
Gao R.
(Liverpool John Moores University)
,
Ji Z.
(Liverpool John Moores University)
,
Hatta S. M.
(Liverpool John Moores University)
,
Zhang J. F.
(Liverpool John Moores University)
,
Franco J.
(imec)
,
Kaczer B.
(imec)
,
Zhang W.
(Liverpool John Moores University)
,
Duan M.
(Liverpool John Moores University)
,
De Gendt S.
(imec)
,
Linten D.
(imec)
,
Groeseneken G.
(imec)
,
Bi J.
(Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences)
,
Liu M.
(Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
31.4.1-31.4.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)