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文献
J-GLOBAL ID：201702235110389247
整理番号：17A1181879
III-V酸化の防止を持つInGaAs(001)-(2×4)上の不動態SiO_x制御層の自己制限CVD【Powered by NICT】
Self-limiting CVD of a passivating SiOx control layer on InGaAs(001)-(2x4) with the prevention of III-V oxidation
Edmonds Mary
(Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
,
Wolf Steven
(Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
,
Chagarov Evgueni
(Department of Chemistry and Biochemistry University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
,
Kent Tyler
(Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
,
Park Jun Hong
(Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
,
Holmes Russell
(Rasirc Inc., San Diego, CA 92126, United States)
,
Alvarez Daniel
(Rasirc Inc., San Diego, CA 92126, United States)
,
Droopad Ravi
(Ingram School of Engineering, Texas State University, San Marcos, TX 78666, United States)
,
Kummel Andrew C.
(Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
,
Kummel Andrew C.
(Department of Chemistry and Biochemistry University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 660 ページ： 31-38 発行年： 2017年
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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