文献
J-GLOBAL ID:201702235251479508
整理番号:17A0214355
フィードバック設計された絶縁体への金属転移素子を用いた低電圧人工ニューロン【Powered by NICT】
Low-voltage artificial neuron using feedback engineered insulator-to-metal-transition devices
著者 (8件):
Lin J.
(Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA)
,
Annadi A.
(Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA)
,
Sonde S.
(Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA)
,
Chen C.
(Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA)
,
Stan L.
(Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA)
,
Achari K.V.L.V
(School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907 USA)
,
Ramanathan S.
(School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907 USA)
,
Guha S.
(Center for Nanoscale Materials, Agonne National Laboratory, Lemont, IL 60439 USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
34.5.1-34.5.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)