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文献
J-GLOBAL ID：201702235305709362
整理番号：17A0052860
RuドープMoO3薄膜の構造,光学及び電気特性とJNS熱分解法によるP-Nダイオードへの応用
Structural, optical and electrical properties of Ru doped MoO3 thin films and its P-N diode application by JNS pyrolysis technique
Balaji M.
(Department of Physics, Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya College of Arts and Science, Coimbatore, Tamil Nadu, India)
,
Chandrasekaran J.
(Department of Physics, Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya College of Arts and Science, Coimbatore, Tamil Nadu, India)
,
Raja M.
(Department of Physics, Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya College of Arts and Science, Coimbatore, Tamil Nadu, India)
,
Rajesh S.
(Department of Nanoscience and Technology, Karunya University, Coimbatore, Tamil Nadu, India)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27 号： 11 ページ： 11646-11658 発行年： 2016年11月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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