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文献
J-GLOBAL ID：201702235340127675
整理番号：17A0129117
ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価
Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy
鐘ヶ江一孝
(京大 工)
,
金子光顕
(京大 大学院工学研究科)
,
木本恒暢
(京大 大学院工学研究科)
,
堀田昌宏
(京大 大学院工学研究科)
,
須田淳
(京大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116 号： 357(CPM2016 90-112) ページ： 21-26 発行年： 2016年12月05日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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