文献
J-GLOBAL ID:201702235428587655
整理番号:17A1767271
フレキシブル基板上の還元酸化グラフェンチャンネルを用いた薄膜トランジスタのための溶液処理酸化ハフニウムドープシロキサン誘電体
Solution Processed Hafnium Oxide Doped Siloxane Dielectrics for a Thin Film Transistor with Reduced Graphene Oxide Channel on Flexible Substrate
著者 (5件):
KIM Yo-Han
(Myongji Univ.)
,
JUNG Hunsang
(Myongji Univ.)
,
LEE Kyungmin
(Myongji Univ.)
,
YOON Tae-Sik
(Myongji Univ., Kyohggi-do, KOR)
,
LEE Hyun Ho
(Myongji Univ.)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
10
ページ:
7423-7428
発行年:
2017年10月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)