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文献
J-GLOBAL ID：201702235485417249
整理番号：17A0214170
高収率大面積MoS_2技術:材料,デバイスと回路の同時最適化【Powered by NICT】
High-yield large area MoS2 technology: Material, device and circuits co-optimization
Yu L.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
El-Damak D.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Radhakrishna U.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Zubair A.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Piedra D.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Ling X.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Lin Y.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Zhang Y.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Lee Y.-H.
(National Tsing-Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Antoniadis D.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Kong J.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Chandrakasan A.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Palacios T.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 5.7.1-5.7.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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