文献
J-GLOBAL ID:201702235531749909
整理番号:17A1174650
H_2~+注入によって誘起された6H-SiC上の表面剥離の研究【Powered by NICT】
Study of surface exfoliation on 6H-SiC induced by H2 + implantation
著者 (2件):
Zhang L.
(Department of Physics, School of Science, Lanzhou University of Technology, Lanzhou 730050, China)
,
Li B.S.
(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
資料名:
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻:
508
ページ:
104-111
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0676B
ISSN:
0921-4526
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)