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文献
J-GLOBAL ID：201702235644344552
整理番号：17A0323163
シリコン(100)ウエハ上のAlN膜の残留応力の成長と進化【Powered by NICT】
Growth and evolution of residual stress of AlN films on silicon (100) wafer
Pandey Akhilesh
(Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India)
,
Pandey Akhilesh
(Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India)
,
Dutta Shankar
(Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India)
,
Prakash Ravi
(Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India)
,
Dalal Sandeep
(Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India)
,
Raman R.
(Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India)
,
Kapoor Ashok Kumar
(Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India)
,
Kaur Davinder
(Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 52 ページ： 16-23 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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