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文献
J-GLOBAL ID：201702235687770476
整理番号：17A0794805
Si基板上InAs量子井戸MOSFETと超薄ボディGe MOSFETのモノリシック集積化【Powered by NICT】
Monolithic Integration of InAs Quantum-Well n-MOSFETs and Ultrathin Body Ge p-MOSFETs on a Si Substrate
Yadav Sachin
(Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Tan Kian Hua
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University (NTU), Singapore)
,
Kumar Annie
(Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Goh Kian Hui
(National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Liang Gengchiau
(Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Yoon Soon-Fatt
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University (NTU), Singapore)
,
Gong Xiao
(Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), National University of Singapore (NUS), Singapore)
,
Yeo Yee-Chia
(Department of Electrical and Computer Engineering (ECE), National University of Singapore (NUS), Singapore)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 2 ページ： 353-360 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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