文献
J-GLOBAL ID:201702235748015158
整理番号:17A1169700
ほう素ドープとほぼ真性シリコンのモデル化プラズマ誘起水素プロフィル【Powered by NICT】
Modelling plasma-induced hydrogen profiles in boron-doped and near-intrinsic silicon
著者 (2件):
Voronkov Vladimir V.
(SunEdisonc Semiconductor, via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy)
,
Falster Robert
(SunEdisonc Semiconductor, via Nazionale 59, 39012 Merano, Italy)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
214
号:
7
ページ:
ROMBUNNO.201700287
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)