文献
J-GLOBAL ID:201702235823458742
整理番号:17A1181649
SiC基板上の2.5GHz集積グラフェンRF電力増幅器【Powered by NICT】
2.5GHz integrated graphene RF power amplifier on SiC substrate
著者 (6件):
Hanna T.
(IMS Laboratory, CNRS-UMR 5218, University of Bordeaux, Talence, France)
,
Deltimple N.
(IMS Laboratory, CNRS-UMR 5218, University of Bordeaux, Talence, France)
,
Khenissa M.S.
(IEMN Laboratory, CNRS-UMR 8520, University of Lille, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Pallecchi E.
(IEMN Laboratory, CNRS-UMR 8520, University of Lille, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Happy H.
(IEMN Laboratory, CNRS-UMR 8520, University of Lille, Villeneuve d’Ascq, France)
,
Fregonese S.
(IMS Laboratory, CNRS-UMR 5218, University of Bordeaux, Talence, France)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
127
ページ:
26-31
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)