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文献
J-GLOBAL ID：201702236010442546
整理番号：17A0445100
SiCドープグラフェンナノリボンにおける広がった状態のエネルギーギャップ:ab initio計算【Powered by NICT】
Energy gap of extended states in SiC-doped graphene nanoribbon: Ab initio calculations
Liu Xiaoshi
(College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, PR China)
,
Liu Xiaoshi
(Shanghai Key Lab of Modern Optical System, Shanghai 200093, PR China)
,
Wu Yong
(College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, PR China)
,
Wu Yong
(Shanghai Key Lab of Modern Optical System, Shanghai 200093, PR China)
,
Li Zhongyao
(College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, PR China)
,
Li Zhongyao
(Shanghai Key Lab of Modern Optical System, Shanghai 200093, PR China)
,
Gao Yong
(School of Science, Shanghai Second Polytechnic University, Shanghai 201209, PR China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 400 ページ： 1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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