文献
J-GLOBAL ID:201702236063345990
整理番号:17A1077311
原子層堆積法により調製したIn-Ga-Zn-Oアクティブチャネルを用いた酸化物薄膜トランジスタの素子特性に及ぼす蒸着温度の影響
Effects of Deposition Temperature on the Device Characteristics of Oxide Thin-Film Transistors Using In-Ga-Zn-O Active Channels Prepared by Atomic-Layer Deposition
著者 (5件):
YOON Sung-Min
(Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
SEONG Nak-Jin
(NCD Co. Ltd., Daejeon, KOR)
,
CHOI Kyujeong
(NCD Co. Ltd., Daejeon, KOR)
,
SEO Gi-Ho
(Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR)
,
SHIN Woong-Chul
(NCD Co. Ltd., Daejeon, KOR)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
27
ページ:
22676-22684
発行年:
2017年07月12日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)