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文献
J-GLOBAL ID：201702236196467321
整理番号：17A1258273
ひ素をドープしたゾル-ゲル被覆(SGC)とフラッシュランプアニール(FLA)を用いたFinFETのための共形SDEドーピング【Powered by NICT】
Conformal SDE doping for FinFETs using an arsenic-doped Sol-Gel Coating (SGC) and Flash Lamp Annealing (FLA)
Fuse Kazuhiko
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Tanimura Hideaki
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Aoyama Takayuki
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Kato Shinichi
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
,
Kobayashi Ippei
(SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 480-1 Takamiya-cho, Hikone, Shiga, 522-0292 Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IWJT ページ： 66-68 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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