文献
J-GLOBAL ID:201702236368766128
整理番号:17A0325142
単結晶ビスマスナノ細線における半導体転移と高分子電解質ゲート変調への半金属【Powered by NICT】
Semimetal to semiconductor transition and polymer electrolyte gate modulation in single-crystalline bismuth nanowires
著者 (2件):
Kim Jeongmin
(Department of Materials Science and Engineering Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemoon-gu 03722, Korea. wooyoung@yonsei.ac.kr)
,
Lee Wooyoung
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
2
ページ:
923-929
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)