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文献
J-GLOBAL ID：201702236406754540
整理番号：17A1250827
すべてのGaN集積カスコードヘテロ接合電界効果トランジスタ【Powered by NICT】
All-GaN-Integrated Cascode Heterojunction Field Effect Transistors
Jiang Sheng
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K)
,
Lee Kean Boon
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K)
,
Guiney Ivor
(Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge, U.K)
,
Miaja Pablo F.
(School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, Manchester, U.K)
,
Zaidi Zaffar H.
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K)
,
Qian Hongtu
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K)
,
Wallis David J.
(Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge, U.K)
,
Forsyth Andrew J.
(School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, Manchester, U.K)
,
Humphreys Colin J.
(Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge, U.K)
,
Houston Peter A.
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K)
資料名：
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32 号： 11 ページ： 8743-8750 発行年： 2017年
JST資料番号： D0211B ISSN： 0885-8993 CODEN： ITPEE8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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