文献
J-GLOBAL ID:201702236495413572
整理番号:17A0717954
AlON/AlGaN/GaN金属酸化物半導体構造におけるAlベースのゲート絶縁膜への窒素混入の影響
Effect of nitrogen incorporation into Al-based gate insulators in AlON/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structures
著者 (11件):
ASAHARA Ryohei
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NOZAKI Mikito
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMADA Takahiro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ITO Joyo
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKAZAWA Satoshi
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
ISHIDA Masahiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
HOSOI Takuji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMURA Takayoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE Heiji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
9
号:
10
ページ:
101002.1-101002.4
発行年:
2016年10月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)