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文献
J-GLOBAL ID：201702236649508160
整理番号：17A0795082
N強化層を持つ新しい低V_F超障壁整流器(SBR)【Powered by NICT】
A Novel Low VF Super Barrier Rectifier (SBR) With an N-Enhancement Layer
Chen Wensuo
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Zhang Peijian
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing, China)
,
Zhong Yi
(Chongqing Semi-chip Electronics Co., Ltd, Chongqing, China)
,
Tan Kaizhou
(Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing, China)
,
Liao Ruijin
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Zeng Zheng
(State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China)
,
Zhang Bo
(State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 2 ページ： 244-247 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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