文献
J-GLOBAL ID:201702236656813512
整理番号:17A0452055
強化駆動電流の可能なと絶縁破壊電圧をもつ新しい高電圧デバイスの創製【Powered by NICT】
Creation of a new high voltage device with capable of enhancing driving current and breakdown voltage
著者 (1件):
Anvarifard Mohammad K.
(Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rudsar, Vajargah, Iran)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
60
ページ:
60-65
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)