文献
J-GLOBAL ID:201702236820797550
整理番号:17A1651099
65nm技術で加工したNMOSFETにおけるホットキャリア注入効果と低周波雑音【Powered by NICT】
Hot carrier injection effect and low frequency noise in NMOSFET processed in 65nm technology
著者 (3件):
He Yujuan
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, China CEPREI Laboratories, Guangzhou, R.P. China)
,
Liu Yuan
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, China CEPREI Laboratories, Guangzhou, R.P. China)
,
Zhang Xiaowen
(Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, China CEPREI Laboratories, Guangzhou, R.P. China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
PHM (Harbin)
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)