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文献
J-GLOBAL ID：201702236835414864
整理番号：17A0537849
先端バルクCMOS技術デバイスにおけるNMOS寄生トランジスタへの全電離線量放射線効果【Powered by NICT】
Total ionizing dose radiation effects on NMOS parasitic transistors in advanced bulk CMOS technology devices
He Baoping
(Northwest Institute of Nuclear Technology)
,
Wang Zujun
(Northwest Institute of Nuclear Technology)
,
Sheng Jiangkun
(Northwest Institute of Nuclear Technology)
,
Huang Shaoyan
(Northwest Institute of Nuclear Technology)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 12 ページ： 49-54 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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