文献
J-GLOBAL ID:201702236876672786
整理番号:17A0453254
プラズマ反応物としてNH_3を用いたプラズマ増強原子層堆積により形成したCo薄膜の成長機構【Powered by NICT】
Growth mechanism of Co thin films formed by plasma-enhanced atomic layer deposition using NH3 as plasma reactant
著者 (3件):
Oh Il-Kwon
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, South Korea)
,
Kim Hyungjun
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, South Korea)
,
Lee Han-Bo-Ram
(Department of Material Science Engineering, Incheon National University, Incheon 406-772, South Korea)
資料名:
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻:
17
号:
3
ページ:
333-338
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1579A
ISSN:
1567-1739
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)