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文献
J-GLOBAL ID：201702236947713150
整理番号：17A0181897
抵抗ランダムアクセスメモリ素子の多スケール電熱シミュレーションとモデル化【Powered by NICT】
Multi-scale electrothermal simulation and modelling of resistive random access memory devices
Sadi Toufik
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, UK)
,
Wang Liping
(Gold Standard Simulations Ltd (now part of Synopsys), Glasgow G3 7JT, UK)
,
Asenov Asen
(School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, UK)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： PATMOS ページ： 33-37 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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