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文献
J-GLOBAL ID：201702237102698944
整理番号：17A1457703
ITO/Ga_2O_3ヘテロ構造におけるバンドオフセット【Powered by NICT】
Band offsets in ITO/Ga2O3 heterostructures
Carey Patrick H.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville FL 32611 USA, USA)
,
Ren F.
(Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville FL 32611 USA, USA)
,
Hays David C.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville FL 32611 USA)
,
Gila B.P
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville FL 32611 USA)
,
Pearton S.J.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville FL 32611 USA)
,
Jang Soohwan
(Department of Chemical Engineering, Dankook University, Yongin 16890, Korea)
,
Kuramata Akito
(Tamura Corporation, Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
,
Kuramata Akito
(Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 422 ページ： 179-183 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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