文献
J-GLOBAL ID:201702237107973093
整理番号:17A0400456
n型半導体CuIn_3Se_5における可変領域ホッピング伝導と磁気抵抗効果【Powered by NICT】
Variable range hopping and positive magnetoresistance in n type semiconductor CuIn3Se5
著者 (4件):
Wasim S.M.
(Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Merida 5101, Venezuela)
,
Essaleh L.
(Laboratory of Condensed Matter and Nanostructures (LMCN), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Technology, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco)
,
Marin G.
(Laboratorio de Estructura e Ingenieria de Materiales Nanoestructurados (LEIMN), Centro de Investigacion y Tecnologia de Materiales (CITeMa), Instituto Venezolano de Investigaciones Cientificas (IVIC), Maracaibo 4011, Venezuela)
,
Galibert J.
(Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, UPR3228 CNRS/INSA/UJF/UPS, Toulouse & Grenoble, France)
資料名:
Materials Research Bulletin
(Materials Research Bulletin)
巻:
87
ページ:
219-223
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0954A
ISSN:
0025-5408
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)