文献
J-GLOBAL ID:201702237253951241
整理番号:17A1250749
シリカプロトン伝導体によりゲートされるトップゲート電気二重層薄膜トランジスタに基づく低電圧単極インバータ【Powered by NICT】
Low-Voltage Unipolar Inverter Based on Top-Gate Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors Gated by Silica Proton Conductor
著者 (4件):
Wang Jiabin
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Li Yuxing
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Yang Yi
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Ren Tian-Ling
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
7
ページ:
875-878
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)