文献
J-GLOBAL ID:201702237259276792
整理番号:17A1084990
AlCl3酸溶液中でのXeFエキシマレーザ照射による不動態皮膜を用いた4H-SiCへの無損傷Alドーピング
Damage free Al doping on 4H-SiC with passivation films using XeF excimer laser irradiation in AlCl3 acid solution
著者 (6件):
TSUCHIYA T.
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SUWA A.
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
IKEDA A.
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKAMURA D.
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ASANO T.
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
IKENOUE H.
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
10091
ページ:
1009106.1-1009106.9
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)