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文献
J-GLOBAL ID：201702237389588898
整理番号：17A0158776
ハイブリッドIII Nitride/Organic半導体ナノ構造におけるエネルギー移動によるバンド端発光改善【Powered by NICT】
Band Edge Emission Improvement by Energy Transfer in Hybrid III-Nitride/Organic Semiconductor Nanostructure
Jiang Fulong
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Liu Yaying
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Li Yangyang
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Chen Peng
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Liu Bin
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Xie Zili
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Xiu Xiangqian
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Hua Xuemei
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Han Ping
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Shi Yi
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Zhang Rong
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
,
Zheng Youdou
(School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 33 号： 10 ページ： 108101_01-108101_04 発行年： 2016年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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