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文献
J-GLOBAL ID：201702237389711039
整理番号：17A1444715
ウエハスケール均一性と層可制御性を用いた二硫化モリブデントランジスタのトップダウン統合【Powered by NICT】
Top-Down Integration of Molybdenum Disulfide Transistors with Wafer-Scale Uniformity and Layer Controllability
Shi Mao-Lin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
,
Chen Lin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
,
Zhang Tian-Bao
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
,
Xu Jing
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
,
Zhu Hao
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
,
Sun Qing-Qing
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
,
Zhang David Wei
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, No. 220 Handan Road, Shanghai, 200433, China)
資料名：
Small
(Small)
巻： 13 号： 35 ページ： ROMBUNNO.201603157 発行年： 2017年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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