文献
J-GLOBAL ID:201702237464069207
整理番号:17A1345126
両極性伝導とTFETの高周波特性に及ぼすドレインドーピング工学の影響【Powered by NICT】
Influence of Drain Doping Engineering on the Ambipolar Conduction and High-Frequency Performance of TFETs
著者 (3件):
Shaker Ahmed
(Engineering Physics and Mathematics Department, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt)
,
El Sabbagh Mona
(Engineering Physics and Mathematics Department, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt)
,
El-Banna Mohammed M.
(Engineering Physics and Mathematics Department, Faculty of Engineering, Ain Shams University, Cairo, Egypt)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
9
ページ:
3541-3547
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)