文献
J-GLOBAL ID:201702237524677427
整理番号:17A0214223
高集積Si量子ビットとしてのSOI上の結合量子ドット【Powered by NICT】
Coupled quantum dots on SOI as highly integrated Si qubits
著者 (4件):
Oda S.
(Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
,
Yamahata G.
(Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
,
Horibe K.
(Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
,
Kodera T.
(Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
13.3.1-13.3.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)